一半径为R的无限长均匀带电半圆柱面，电荷面密度为σ，求轴线上任意点的电场强度
更新日期：2024.05.06
任意点的电场强度：
dE = σ R dθ / (2π ε0 R) = σ dθ / (2π ε0 )
E = ∫dE . sinθ
= ∫ (0, π) σ / (2π ε0 ) . sinθ dθ
= σ / (π ε0 )
电场强度是放入电场中某点的电荷所受静电力F跟它的电荷量比值，定义式E=F/q ，适用于一切电场；其中F为电场对试探电荷的作用力，q为试探电荷的电荷量。单位N/C。
扩展资料
实验表明，在电场中某一点，试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。于是以试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力的方向为电场方向，以前述比值为大小的矢量定义为该点的电场强度，常用E表示。
按照定义，电场中某一点的电场强度的方向可用试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力的电场方向来确定；电场强弱可由试探电荷所受的力与试探点电荷带电量的比值确定。试探点电荷应该满足两个条件；
（1）它的线度必须小到可以被看作点电荷，以便确定场中每点的性质；
（2）它的电量要足够小，使得由于它的置入不引起原有电场的重新分布或对有源电场的影响可忽略不计。电场强度的单位V/m伏特/米或N/C牛顿/库仑（这两个单位实际上相等）。常用的单位还有V/cm伏特/厘米。
根据对称性，可以变成一个半径为R的半圆，电荷线密度为σ*【πR】 ，求圆心的E.。
如果是圆柱面的话就是零了。
籍忽袁1904 :答：任意点电场强度：DE＝Rd／（0）＝d／（20）。E＝的积分。sinθ。＝∫（0，）／（2）正弦d。＝／（0）。电场强度是电场中某一点的电荷所受到的静电力F与电荷量的比值。定义为E＝F／Q，适用于所有电场。其中F是...
籍忽袁1904 :答：一半径为R的均匀带电无限长直圆柱体，电荷体密度为+ρ，带电圆柱体内、外的电场分布如图：电场是电荷及变化磁场周围空间里存在的一种特殊物质。电场这种物质与通常的实物不同，它不是由分子原子所组成，但它是客观存在的，...
籍忽袁1904 :答：答案是：半径为R的无限长均匀带电圆柱体。由于电场分布具有周对称性，可用高斯定理来分析。令电荷密度为ρ，1、当r<R时，取长为L，半径为r的圆柱形高斯面，根据高斯定理有：ε0E2πrL=ρπr²L，可得到：E=ρr...
籍忽袁1904 :答：积分过程略，线密度我写成了p，场强乘以sin斯塔是垂直于x轴的分量，水平与x轴的分量 两侧抵消，结果为0，所以把垂直x轴的分量积分就是圆心场强，方向为垂直x轴
籍忽袁1904 :答：旋转时相当于电流是：I = qω/(2π) = 2πRLσω/(2π) = RLσω 轴线上任一点磁感应强度：B = μnI = μ I / L = μ Rσω
籍忽袁1904 :答：一半径为R的均匀带电无限长直圆柱体，电荷体密度为+ρ，带电圆柱体内、外的电场分布如图：电场是电荷及变化磁场周围空间里存在的一种特殊物质。电场这种物质与通常的实物不同，它不是由分子原子所组成，但它是客观存在的，...
籍忽袁1904 :答：我们常取地球为标准位置；在理论研究时，我们常取无限远处为标准位置，在习惯上，我们也常用“电场外”这样的说法来代替“零电势位置”。电势是一个相对量，其参考点是可以任意选取的。无论被选取的物体是不是带电，都可以...
籍忽袁1904 :答：dE = σ R dθ / (2π ε0 R) = σ dθ / (2π ε0 )E = ∫dE . sinθ = ∫ (0, π) σ / (2π ε0 ) . sinθ dθ = σ / (π ε0 )
籍忽袁1904 :答：将半圆环无限微元，每一微元电荷量为Q/n，每一微元到环心距离为R由场强公式：E＝k（q/（R×R））×cosθ θ为该微元与环心连线和垂直直径方向的连线，之后对每一个微元的场强求和既可，需要用到积分公式，最后...
籍忽袁1904 :答：1.真空中两条平行的“无限长”均匀带电直线相距a，其电荷线密度分别为-λ和+λ。求：E=E1+E2=方向沿x轴负方向2.如图所示，一半径为R的均匀带电薄圆盘，其电荷面密度为σ。试求圆盘轴线上距离圆心o为x的P点处电势...
